IXFR20N100P
MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247
حصے کا نمبر
IXFR20N100P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™, PolarP2™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
ISOPLUS247™
سپلائر ڈیوائس پیکیج
ISOPLUS247™
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
230W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1000V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
11A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
640 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
6.5V @ 1mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
126nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
7300pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 15283 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFR20N100P
IXFR20N100P الیکٹرانک اجزاء
IXFR20N100P سیلز
IXFR20N100P فراہم کنندہ
IXFR20N100P فراہم کنندہ
IXFR20N100P ڈیٹا ٹیبل
IXFR20N100P تصاویر
IXFR20N100P قیمت
IXFR20N100P پیشکش
IXFR20N100P کم ترین قیمت
IXFR20N100P تلاش کریں۔
IXFR20N100P خریداری
IXFR20N100P Chip