IXFP6N120P
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB
حصے کا نمبر
IXFP6N120P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™, PolarP2™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-220-3
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-220AB
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
250W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1200V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
6A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
2.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 1mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
92nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
2830pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 47376 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFP6N120P
IXFP6N120P الیکٹرانک اجزاء
IXFP6N120P سیلز
IXFP6N120P فراہم کنندہ
IXFP6N120P فراہم کنندہ
IXFP6N120P ڈیٹا ٹیبل
IXFP6N120P تصاویر
IXFP6N120P قیمت
IXFP6N120P پیشکش
IXFP6N120P کم ترین قیمت
IXFP6N120P تلاش کریں۔
IXFP6N120P خریداری
IXFP6N120P Chip