IXYS IXFN66N50Q2 MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IXFN66N50Q2

MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B

حصے کا نمبر

IXFN66N50Q2

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

HiPerFET™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SOT-227-4, miniBLOC

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SOT-227B

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

735W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

500V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

66A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

80 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.5V @ 8mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

199nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

6800pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 53402 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B