IXYS IXFN150N10 MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IXFN150N10

MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227

حصے کا نمبر

IXFN150N10

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

HiPerFET™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Bulk

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SOT-227-4, miniBLOC

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SOT-227B

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

520W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

150A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

12 mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 8mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

360nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

9000pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 45258 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B