IXFK30N110P
MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
حصے کا نمبر
IXFK30N110P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™, PolarP2™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-264-3, TO-264AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-264AA (IXFK)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
960W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1100V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
360 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
6.5V @ 1mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
235nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
13600pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 37726 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFK30N110P
IXFK30N110P الیکٹرانک اجزاء
IXFK30N110P سیلز
IXFK30N110P فراہم کنندہ
IXFK30N110P فراہم کنندہ
IXFK30N110P ڈیٹا ٹیبل
IXFK30N110P تصاویر
IXFK30N110P قیمت
IXFK30N110P پیشکش
IXFK30N110P کم ترین قیمت
IXFK30N110P تلاش کریں۔
IXFK30N110P خریداری
IXFK30N110P Chip