IXFK200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
حصے کا نمبر
IXFK200N10P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™, PolarP2™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Bulk
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-264-3, TO-264AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-264AA (IXFK)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
830W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
100V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
200A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 8mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
235nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
7600pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 23337 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFK200N10P
IXFK200N10P الیکٹرانک اجزاء
IXFK200N10P سیلز
IXFK200N10P فراہم کنندہ
IXFK200N10P فراہم کنندہ
IXFK200N10P ڈیٹا ٹیبل
IXFK200N10P تصاویر
IXFK200N10P قیمت
IXFK200N10P پیشکش
IXFK200N10P کم ترین قیمت
IXFK200N10P تلاش کریں۔
IXFK200N10P خریداری
IXFK200N10P Chip