IXFH80N10
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
حصے کا نمبر
IXFH80N10
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™
حصہ کی حیثیت
Obsolete
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-247-3
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-247AD (IXFH)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
300W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
100V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
12.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4V @ 4mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
180nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
4800pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 53707 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFH80N10
IXFH80N10 الیکٹرانک اجزاء
IXFH80N10 سیلز
IXFH80N10 فراہم کنندہ
IXFH80N10 فراہم کنندہ
IXFH80N10 ڈیٹا ٹیبل
IXFH80N10 تصاویر
IXFH80N10 قیمت
IXFH80N10 پیشکش
IXFH80N10 کم ترین قیمت
IXFH80N10 تلاش کریں۔
IXFH80N10 خریداری
IXFH80N10 Chip