IXFH58N20Q
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
حصے کا نمبر
IXFH58N20Q
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™
حصہ کی حیثیت
Last Time Buy
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-247-3
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-247AD (IXFH)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
300W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
200V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
58A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4V @ 4mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
140nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
3600pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 26887 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFH58N20Q
IXFH58N20Q الیکٹرانک اجزاء
IXFH58N20Q سیلز
IXFH58N20Q فراہم کنندہ
IXFH58N20Q فراہم کنندہ
IXFH58N20Q ڈیٹا ٹیبل
IXFH58N20Q تصاویر
IXFH58N20Q قیمت
IXFH58N20Q پیشکش
IXFH58N20Q کم ترین قیمت
IXFH58N20Q تلاش کریں۔
IXFH58N20Q خریداری
IXFH58N20Q Chip