Infineon Technologies SPP12N50C3HKSA1 MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SPP12N50C3HKSA1

MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220

حصے کا نمبر

SPP12N50C3HKSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO220-3-1

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

125W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

560V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

11.6A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

380 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.9V @ 500µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

49nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1200pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 50985 PCS

رابطے کی معلومات