Infineon Technologies SPB18P06PGATMA1 MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SPB18P06PGATMA1

MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

حصے کا نمبر

SPB18P06PGATMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

SIPMOS®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

D²PAK (TO-263AB)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

81.1W (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

60V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

18.7A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

130 mOhm @ 13.2A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

28nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

860pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 5144 PCS

رابطے کی معلومات