Infineon Technologies SIDC30D120E6X1SA2 DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SIDC30D120E6X1SA2

DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

حصے کا نمبر

SIDC30D120E6X1SA2

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Discontinued at Digi-Key

پیکیجنگ

Bulk

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

Die

سپلائر ڈیوائس پیکیج

Sawn on foil

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

35A (DC)

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.9V @ 35A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

27µA @ 1200V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

1200V

رفتار

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 150°C

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 49070 PCS

رابطے کی معلومات