Infineon Technologies IRLU120NPBF MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRLU120NPBF

MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK

حصے کا نمبر

IRLU120NPBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

IPAK (TO-251)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

48W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

10A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

185 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

20nC @ 5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

440pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±16V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 45014 PCS

رابطے کی معلومات