Infineon Technologies IRLR120NPBF MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRLR120NPBF

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

حصے کا نمبر

IRLR120NPBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Not For New Designs

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

سپلائر ڈیوائس پیکیج

D-Pak

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

48W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

10A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

185 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

20nC @ 5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

440pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±16V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 42072 PCS

رابطے کی معلومات