Infineon Technologies IRLHS6342TR2PBF MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

IRLHS6342TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

حصے کا نمبر

IRLHS6342TR2PBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Digi-Reel®

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-PowerVDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-PQFN (2x2)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2.1W (Ta)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

8.7A (Ta), 19A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.1V @ 10µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

11nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1019pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

2.5V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±12V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 29356 PCS

رابطے کی معلومات