IRFSL3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
حصے کا نمبر
IRFSL3306PBF
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HEXFET®
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-262
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
230W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
60V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
120A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
4.2 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4V @ 150µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
120nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
4520pF @ 50V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 23619 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IRFSL3306PBF
IRFSL3306PBF الیکٹرانک اجزاء
IRFSL3306PBF سیلز
IRFSL3306PBF فراہم کنندہ
IRFSL3306PBF فراہم کنندہ
IRFSL3306PBF ڈیٹا ٹیبل
IRFSL3306PBF تصاویر
IRFSL3306PBF قیمت
IRFSL3306PBF پیشکش
IRFSL3306PBF کم ترین قیمت
IRFSL3306PBF تلاش کریں۔
IRFSL3306PBF خریداری
IRFSL3306PBF Chip