Infineon Technologies IRFSL31N20D MOSFET N-CH 200V 31A TO-262

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRFSL31N20D

MOSFET N-CH 200V 31A TO-262

حصے کا نمبر

IRFSL31N20D

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-262

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3.1W (Ta), 200W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

200V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

31A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

82 mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

110nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2370pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 28519 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IRFS11N50A

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK