IRFR812PBF
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
حصے کا نمبر
IRFR812PBF
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HEXFET®
حصہ کی حیثیت
Discontinued at Digi-Key
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
سپلائر ڈیوائس پیکیج
D-Pak
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
78W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
500V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
3.6A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
20nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
810pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 48559 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IRFR812PBF
IRFR812PBF الیکٹرانک اجزاء
IRFR812PBF سیلز
IRFR812PBF فراہم کنندہ
IRFR812PBF فراہم کنندہ
IRFR812PBF ڈیٹا ٹیبل
IRFR812PBF تصاویر
IRFR812PBF قیمت
IRFR812PBF پیشکش
IRFR812PBF کم ترین قیمت
IRFR812PBF تلاش کریں۔
IRFR812PBF خریداری
IRFR812PBF Chip