Infineon Technologies IRFI4510GPBF MOSFET N CH 100V 35A TO220

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRFI4510GPBF

MOSFET N CH 100V 35A TO220

حصے کا نمبر

IRFI4510GPBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-3 Full Pack

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-220AB Full-Pak

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

42W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

35A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

13.5 mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 100µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

81nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2998pF @ 50V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 54225 PCS

رابطے کی معلومات