Infineon Technologies IRFHM8235TRPBF MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRFHM8235TRPBF

MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN

حصے کا نمبر

IRFHM8235TRPBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerTDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3W (Ta), 30W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

25V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

16A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

7.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.35V @ 25µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

12nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1040pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 12403 PCS

رابطے کی معلومات