Infineon Technologies IRFHM792TR2PBF MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRFHM792TR2PBF

MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN

حصے کا نمبر

IRFHM792TR2PBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerVDFN

پاور - زیادہ سے زیادہ

2.3W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

2.3A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

195 mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 10µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

6.3nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

251pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 54804 PCS

رابطے کی معلومات