Infineon Technologies IRFH7187TRPBF MOSFET N-CH 100V 18A

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRFH7187TRPBF

MOSFET N-CH 100V 18A

حصے کا نمبر

IRFH7187TRPBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

FASTIRFET™, HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Bulk

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerVDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-PQFN (5x6)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3.8W (Ta), 132W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

18A (Ta), 105A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.6V @ 150µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

50nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2116pF @ 50V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 42037 PCS

رابطے کی معلومات