Infineon Technologies IRFH7110TR2PBF MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRFH7110TR2PBF

MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6

حصے کا نمبر

IRFH7110TR2PBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-TQFN Exposed Pad

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-PQFN (5x6)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3.6W (Ta), 104W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

11A (Ta), 58A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

13.5 mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 100µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

87nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

3240pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 30246 PCS

رابطے کی معلومات