Infineon Technologies IRFH5220TRPBF MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRFH5220TRPBF

MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN

حصے کا نمبر

IRFH5220TRPBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-VQFN Exposed Pad

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PQFN (5x6)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3.6W (Ta), 8.3W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

200V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

3.8A (Ta), 20A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

99.9 mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 100µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

30nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1380pF @ 50V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 53906 PCS

رابطے کی معلومات