Infineon Technologies IRFH5015TR2PBF MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRFH5015TR2PBF

MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN

حصے کا نمبر

IRFH5015TR2PBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-VQFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PQFN (5x6) Single Die

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

150V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

10A (Ta), 56A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

31 mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 150µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

50nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2300pF @ 50V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 30132 PCS

رابطے کی معلومات