IRFB7530PBF
MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
حصے کا نمبر
IRFB7530PBF
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HEXFET®, StrongIRFET™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-220-3
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-220AB
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
375W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
60V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
195A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
3.7V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
411nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
13703pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
6V, 10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 33917 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IRFB7530PBF
IRFB7530PBF الیکٹرانک اجزاء
IRFB7530PBF سیلز
IRFB7530PBF فراہم کنندہ
IRFB7530PBF فراہم کنندہ
IRFB7530PBF ڈیٹا ٹیبل
IRFB7530PBF تصاویر
IRFB7530PBF قیمت
IRFB7530PBF پیشکش
IRFB7530PBF کم ترین قیمت
IRFB7530PBF تلاش کریں۔
IRFB7530PBF خریداری
IRFB7530PBF Chip