Infineon Technologies IRF9910 MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRF9910

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

حصے کا نمبر

IRF9910

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

پاور - زیادہ سے زیادہ

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-SO

FET قسم

2 N-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

10A, 12A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

13.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.55V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

11nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

900pF @ 10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 40858 PCS

رابطے کی معلومات