Infineon Technologies IRF8306MTR1PBF MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRF8306MTR1PBF

MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET

حصے کا نمبر

IRF8306MTR1PBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

DirectFET™ Isometric MX

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DIRECTFET™ MX

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2.1W (Ta), 75W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

Schottky Diode (Body)

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

23A (Ta), 140A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

2.5 mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.35V @ 100µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

38nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

4110pF @ 15V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 25514 PCS

رابطے کی معلومات