Infineon Technologies IRF8302MTRPBF MOSFET N-CH 30V 31A MX

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRF8302MTRPBF

MOSFET N-CH 30V 31A MX

حصے کا نمبر

IRF8302MTRPBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

DirectFET™ Isometric MX

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DIRECTFET™ MX

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2.8W (Ta), 104W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

31A (Ta), 190A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

1.8 mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.35V @ 150µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

53nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

6030pF @ 15V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 36859 PCS

رابطے کی معلومات