Infineon Technologies IRF7779L2TRPBF MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRF7779L2TRPBF

MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8

حصے کا نمبر

IRF7779L2TRPBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

DirectFET™ Isometric L8

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DIRECTFET L8

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3.3W (Ta), 125W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

150V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

375A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

11 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

150nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

6660pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 28313 PCS

رابطے کی معلومات