Infineon Technologies IRF7663TR MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRF7663TR

MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8

حصے کا نمبر

IRF7663TR

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

Micro8™

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.8W (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

8.2A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

20 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.2V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

45nC @ 5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2520pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

2.5V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±12V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 44352 PCS

رابطے کی معلومات