Infineon Technologies IRF7526D1PBF MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRF7526D1PBF

MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8

حصے کا نمبر

IRF7526D1PBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

FETKY™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

Micro8™

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.25W (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

Schottky Diode (Isolated)

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

2A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

200 mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

11nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

180pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 13362 PCS

رابطے کی معلومات