Infineon Technologies IRF6720S2TRPBF MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRF6720S2TRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1

حصے کا نمبر

IRF6720S2TRPBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

DirectFET™ Isometric S1

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DIRECTFET S1

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.7W (Ta), 17W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

11A (Ta), 35A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

8 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.35V @ 25µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

12nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1140pF @ 15V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 14025 PCS

رابطے کی معلومات