Infineon Technologies IRF6718L2TRPBF MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRF6718L2TRPBF

MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6

حصے کا نمبر

IRF6718L2TRPBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

DirectFET™ Isometric L6

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DIRECTFET L6

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

4.3W (Ta), 83W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

25V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

61A (Ta), 270A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

0.7 mOhm @ 61A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.35V @ 150µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

96nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

6500pF @ 13V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 43521 PCS

رابطے کی معلومات