Infineon Technologies IRF6706S2TRPBF MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRF6706S2TRPBF

MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1

حصے کا نمبر

IRF6706S2TRPBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

DirectFET™ Isometric S1

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DIRECTFET S1

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.8W (Ta), 26W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

25V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

17A (Ta), 63A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

3.8 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.35V @ 25µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

20nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1810pF @ 13V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 33169 PCS

رابطے کی معلومات