Infineon Technologies IRF6641TR1PBF MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRF6641TR1PBF

MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

حصے کا نمبر

IRF6641TR1PBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

DirectFET™ Isometric MZ

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DIRECTFET™ MZ

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

200V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

4.6A (Ta), 26A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

59.9 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.9V @ 150µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

48nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2290pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 23896 PCS

رابطے کی معلومات