IRF5802TR
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
حصے کا نمبر
IRF5802TR
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HEXFET®
حصہ کی حیثیت
Obsolete
پیکیجنگ
Cut Tape (CT)
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
سپلائر ڈیوائس پیکیج
Micro6™(TSOP-6)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
2W (Ta)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
150V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
900mA (Ta)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
1.2 Ohm @ 540mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5.5V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
6.8nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
88pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 36534 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IRF5802TR
IRF5802TR الیکٹرانک اجزاء
IRF5802TR سیلز
IRF5802TR فراہم کنندہ
IRF5802TR فراہم کنندہ
IRF5802TR ڈیٹا ٹیبل
IRF5802TR تصاویر
IRF5802TR قیمت
IRF5802TR پیشکش
IRF5802TR کم ترین قیمت
IRF5802TR تلاش کریں۔
IRF5802TR خریداری
IRF5802TR Chip