IRF5210L
MOSFET P-CH 100V 40A TO-262
حصے کا نمبر
IRF5210L
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HEXFET®
حصہ کی حیثیت
Obsolete
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-262
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
FET قسم
P-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
100V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
40A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
60 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
180nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
2700pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 33008 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IRF5210L
IRF5210L الیکٹرانک اجزاء
IRF5210L سیلز
IRF5210L فراہم کنندہ
IRF5210L فراہم کنندہ
IRF5210L ڈیٹا ٹیبل
IRF5210L تصاویر
IRF5210L قیمت
IRF5210L پیشکش
IRF5210L کم ترین قیمت
IRF5210L تلاش کریں۔
IRF5210L خریداری
IRF5210L Chip