Infineon Technologies IRF1018ESTRLPBF MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRF1018ESTRLPBF

MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK

حصے کا نمبر

IRF1018ESTRLPBF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

D2PAK

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

110W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

60V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

79A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

8.4 mOhm @ 47A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 100µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

69nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2290pF @ 50V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 34326 PCS

رابطے کی معلومات