Infineon Technologies IRD3CH101DB6 DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRD3CH101DB6

DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE

حصے کا نمبر

IRD3CH101DB6

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Bulk

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

Die

سپلائر ڈیوائس پیکیج

Die

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

200A

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

2.7V @ 200A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

3.6µA @ 1200V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

1200V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

360ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-40°C ~ 175°C

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 15890 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IRD3900

DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AB