Infineon Technologies IPW65R190C6FKSA1 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPW65R190C6FKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

حصے کا نمبر

IPW65R190C6FKSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™

حصہ کی حیثیت

Last Time Buy

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-247-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO247-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

151W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

650V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

20.2A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

190 mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 730µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

73nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1620pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 52764 PCS

رابطے کی معلومات