Infineon Technologies IPT020N10N3ATMA1 MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPT020N10N3ATMA1

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

حصے کا نمبر

IPT020N10N3ATMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerSFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-HSOF-8-1

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

375W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

300A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

2 mOhm @ 150A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 272µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

156nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

11200pF @ 50V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

6V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 35106 PCS

رابطے کی معلومات