Infineon Technologies IPT012N06NATMA1 MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPT012N06NATMA1

MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8

حصے کا نمبر

IPT012N06NATMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerSFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-HSOF-8-1

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

214W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

60V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

240A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

1.2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.3V @ 143µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

124nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

9750pF @ 30V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

6V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 36894 PCS

رابطے کی معلومات