Infineon Technologies IPSA70R950CEAKMA1 MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPSA70R950CEAKMA1

MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3

حصے کا نمبر

IPSA70R950CEAKMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-251-3 Stub Leads, IPak

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO251-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

94W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

700V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

8.7A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

950 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 150µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

15.3nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

328pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 19071 PCS

رابطے کی معلومات