Infineon Technologies IPS70R600P7SAKMA1 MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPS70R600P7SAKMA1

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251

حصے کا نمبر

IPS70R600P7SAKMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™ P7

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-251-3 Stub Leads, IPak

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO251

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

43W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

700V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

8.5A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

600 mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 90µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

10.5nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

364pF @ 400V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±16V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 44435 PCS

رابطے کی معلومات