Infineon Technologies IPS65R1K5CEAKMA1 MOSFET N-CH 650V TO-251-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPS65R1K5CEAKMA1

MOSFET N-CH 650V TO-251-3

حصے کا نمبر

IPS65R1K5CEAKMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™ CE

حصہ کی حیثیت

Last Time Buy

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-251-3 Stub Leads, IPak

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-251

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

28W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

650V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

3.1A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

1.5 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 100µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

10.5nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

225pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 39188 PCS

رابطے کی معلومات