Infineon Technologies IPP80R1K2P7XKSA1 MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPP80R1K2P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3

حصے کا نمبر

IPP80R1K2P7XKSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™ P7

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO220-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

37W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

800V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

4.5A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

1.2 Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 80µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

11nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

300pF @ 500V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 21931 PCS

رابطے کی معلومات