Infineon Technologies IPL60R210P6AUMA1 MOSFET N-CH 600V 4VSON

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPL60R210P6AUMA1

MOSFET N-CH 600V 4VSON

حصے کا نمبر

IPL60R210P6AUMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™ P6

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

4-PowerTSFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-VSON-4

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

151W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

19.2A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

210 mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.5V @ 630µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

37nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1750pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 18512 PCS

رابطے کی معلومات