Infineon Technologies IPI90R800C3 MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPI90R800C3

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3

حصے کا نمبر

IPI90R800C3

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO262-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

104W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

900V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

6.9A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

800 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 460µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

42nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1100pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 9954 PCS

رابطے کی معلومات