Infineon Technologies IPI70P04P409AKSA1 MOSFET N-CH TO262-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPI70P04P409AKSA1

MOSFET N-CH TO262-3

حصے کا نمبر

IPI70P04P409AKSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO262-3-1

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

75W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

40V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

72A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

9.4 mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 120µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

70nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

4810pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 41597 PCS

رابطے کی معلومات