Infineon Technologies IPI50R350CP MOSFET N-CH 550V 10A TO-262

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPI50R350CP

MOSFET N-CH 550V 10A TO-262

حصے کا نمبر

IPI50R350CP

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO262-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

89W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

550V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

10A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

350 mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 370µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

25nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1020pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 17606 PCS

رابطے کی معلومات